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BGA7H1BN6中文资料多功能 LNA数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BGA7H1BN6

参数属性

BGA7H1BN6 封装/外壳为6-XFDFN;包装为盒;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.69GHZ

功能描述

多功能 LNA
IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.69GHZ

封装外壳

6-XFDFN

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BGA7H1BN6规格书详情

描述 Description

BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器,其覆盖频率范围为 1805 MHz 至 2690 Mhz,工作电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制(旁路和高增益模式),可通过关闭 Vcc 来启用关闭状态

特性 Features

• 插入功率增益:12.3 dB
• 低电流消耗:4.3 mA
• 工作频率:1805 - 2690 MHz
• 电源电压:1.5 V 至 3.6 V
• 超小型 TSNP-6-2 无铅封装(尺寸:0.7 x 1.1 mm2)
• 射频输出内部匹配至 50 Ω
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

应用 Application

• 移动设备和智能手机解决方案

简介

BGA7H1BN6属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的BGA7H1BN6射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BGA7H1BN6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IIP3

    :2 dBm

  • NF

    :0.85 dB

  • P-1dB (in)

    :-3 dBm

  • VCC operating

    :1.5 V to 3.6 V

  • Gain

    :12.3 dB

  • Frequency

    :1805-2200 MHz

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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