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BGA7H1BN6

多功能 LNA

BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器,其覆盖频率范围为 1805 MHz 至 2690 Mhz,工作电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制(旁路和高增益模式),可通过关闭 Vcc 来启用关闭状态 • 插入功率增益:12.3 dB\n• 低电流消耗:4.3 mA\n• 工作频率:1805 - 2690 MHz\n• 电源电压:1.5 V 至 3.6 V\n• 超小型 TSNP-6-2 无铅封装(尺寸:0.7 x 1.1 mm2)\n• 射频输出内部匹配至 50 Ω\n• 无铅(符合 RoHS 标准)封装;

Infineon

英飞凌

BGA7H1BN6

Insertion power gain: 12.3 dB

文件:1.17431 Mbytes 页数:16 Pages

INFINEON

英飞凌

BGA7H1BN6E6327XTSA1

Package:6-XFDFN;包装:盒 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.69GHZ

INFINEON

英飞凌

BGA7H1BN6E6327XTSA1

N/A

Infineon Technologies

上传:深圳市集好芯城科技有限公司

Infineon Technologies

BGA7H1N6E6327

DSNP-6

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市上美通科技有限公司

技术参数

  • IIP3:

    2 dBm

  • NF:

    0.85 dB

  • P-1dB (in):

    -3 dBm

  • VCC operating:

    1.5 V to 3.6 V

  • Gain:

    12.3 dB

  • Frequency:

    1805-2200 MHz

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BGA7H1BN6供应商 更新时间2026-2-8 17:00:00