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BFR193TW	文件：265.88 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor 文件：265.88 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BFR193TW	文件：258.26 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor 文件：258.26 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BFR193W	文件：268.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor 文件：268.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BFR193W	文件：77.9 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：77.9 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR193W	文件：660.91 Kbytes Page：6 Pages	For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 文件：660.91 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR193W_07	文件：77.9 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：77.9 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR193W_14	文件：660.91 Kbytes Page：6 Pages	For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 文件：660.91 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR193F	文件：300 bytes Page：1 Pages	高线性度RF 管基 NPN硅射频晶体管 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz\n• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB，频率为 900 MHz\n• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素（符合 WEEE 标准）产品;	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR193L3	文件：300 bytes Page：1 Pages	高线性度RF 管基 NPN硅射频晶体管 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz\n• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz）\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR193T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor	Vishay 威世	Vishay

晶体管资料

型号：
BFR19
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC140,BC141,BCY55,BSX45,BSY83,BSY84,2N1990,2N2102,2N2405,3DG182B,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
75
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0.8

技术参数

ICmax：
80 mA
NFmin：
1 dB @900 MHz
OIP3：
30 dBm @900 MHz
OP1dB：
13 dBm @900 MHz
VCEOmax：
12 V
Package：
SOT23

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