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BFR193L3

NPN Silicon RF Transistor

NPN Silicon RF Transistor* • For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz • For linear broadband amplifiers • fT = 8 GHz, F = 1 dB at 900 MHz • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 * Short term description

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INFINEON

英飞凌

BFR193L3

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

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INFINEON

英飞凌

BFR193L3

NPN Silicon RF Transistor

文件:51.84 Kbytes 页数:6 Pages

INFINEON

英飞凌

BFR193L3

高线性度RF 管基

NPN硅射频晶体管 • 适用于低噪声、高增益放大器,频率高达 2 GHz\n• fT = 8 GHz,NFmin = 1 dB(频率 900 MHz)\n• 无铅(符合 RoHS 标准)封装;

Infineon

英飞凌

BFR193L3_07

NPN Silicon RF Transistor

文件:51.84 Kbytes 页数:6 Pages

INFINEON

英飞凌

BFR193L3_12

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

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INFINEON

英飞凌

BFR193L3E6327XTMA1

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

文件:501.19 Kbytes 页数:6 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • ICmax:

    80 mA

  • NFmin:

    1 dB @900 MHz

  • OIP3:

    29 dBm @900 MHz

  • OP1dB:

    15 dBm @900 MHz

  • VCEOmax:

    12 V

  • Package:

    TSLP-3-1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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TSLP-3-1
14011
INFINEON/英飞凌原装特价BFR193L3即刻询购立享优惠#长期有货
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更多BFR193L3供应商 更新时间2026-4-21 11:21:00