BFR193F中文资料高线性度RF 管基数据手册Infineon规格书

描述 Description

NPN硅射频晶体管

特性 Features

• 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB，频率为 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素（符合 WEEE 标准）产品

应用 Application

• 移动设备和智能手机解决方案

简介

BFR193F属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFR193F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。