BFR181W中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

描述 Description

NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

特性 Features

• 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用 Application

• 汽车车身控制模块 (BCM)

简介

BFR181W属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFR181W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。