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BFR540	文件：207.3 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforRFfrontendinwidebandapplicationsinthe GHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones, cordlesstelephones(CT1,CT2,DEC,etc.).	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS540	文件：115 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforRFwidebandamplifierapplicationssuchassatelliteTVsystemsandRFportablecommunicationequipmentwithsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS540	文件：253 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz •HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS540	文件：81.52 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz •HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFU540	文件：102.72 Kbytes Page：16 Pages	NPNSiGewidebandtransistor DESCRIPTION NPNSiGewidebandtransistorforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES •Veryhighpowergain •Verylownoisefigure •Hightransitionfrequency •Emitteristhermallead •Lowfeedbackcapacitance •45GHzSiGeprocess. APPLICATI	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGB540	文件：724.48 Kbytes Page：24 Pages	A35dBGain-SlopedLNBI.F.AmplifierforDirectBroadcastSatelliteTelevisionApplicationsusingtheBGA430&BGB540SiliconMMICs Description TheBGA430isabroadbandhighgainamplifierbaseduponInfineonTechnologies’SiliconBipolarTechnologyB6HF.HousedinasmallSOT363packagethisSiliconMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)requiresveryfewexternalcomponentsduetotheintegratedbiasingconcept.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BGB540	文件：129.669 Kbytes Page：10 Pages	ActiveBiasedRFTransistor Description SIEGET®-45NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features •Gms=18dBat1.8GHz •SmallSOT343package •Currenteasyadjustablebyanexternalresistor •Opencollectoroutpu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BGB540LNA	文件：118.32 Kbytes Page：6 Pages	BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BO540W	文件：218.92 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYRECTIFIERVOLTAGE40VoltsCURRENT500mAmpers	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BRUS540	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi

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