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BF545A	文件：100.11 Kbytes Page：12 Pages	Marking：20-；Package：SOT-23；N-channel silicon junction field-effect transistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage(max.2.2VforBF545A). APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesandinfra-	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF545A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	Marking：20-；Package：SOT-23；RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF545A,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
BF545B	文件：100.11 Kbytes Page：12 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage(max.2.2VforBF545A). APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesandinfra-	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF545B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF545C	文件：100.11 Kbytes Page：12 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage(max.2.2VforBF545A). APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesandinfra-	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF545C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF545	文件：94.9 Kbytes Page：12 Pages	UHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOSpush-pulltransistordesignedforcommunicationstransmitterapplicationsintheUHFfrequencyrange. Thetransistorisencapsulatedina4-lead,SOT268balancedflangeenvelope,withtwoceramiccaps.Themountingflangeprovidesthe	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS-A545RD	文件：189.12 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BS-A545RE	文件：189.12 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE

详细参数

型号：
BF545A
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
N-channel silicon junction field-effect transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BF545A供应商更新时间2025-5-19 9:47:00

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