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BDW23C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=6A •HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=2A •ComplementtoTypeBDW24/A/B/C APPLICATIONS •Designedforhammerdrivers,audioamplifiersapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BDW23C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith BDW24,BDW24A,BDW24BandBDW24C ●50Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,2A

POINNPower Innovations Ltd

Power Innovations Ltd

BDW23C

Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications

HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications •PowerDarlingtonTR •ComplementtoBDW24,BDW24A,BDW24BandBDW24Crespectively

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

BDW23C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

BDW23C

Silicon NPN Darlington Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

BDW23C-S

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 6A TO220

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

BDW23CTU

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 100V 6A TO220-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

晶体管资料

  • 型号:

    BDW23C

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD649,BD701,BD901,BDW63C,BDX53C,FD50B,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    50

详细参数

  • 型号:

    BDW23C

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 50W 6A NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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更多BDW23C供应商 更新时间2024-5-1 16:00:00