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BDT64C | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication.PNPcomplementsareBDT65-A-B-CCompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BDT64C | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.TO-220plasticenveloppe.NPNcomplementsareBDT65,BDT65A,BDT65BANDBDT65C. | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | |
BDT64C | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDT65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
BDT64C | Silicon PNP Darlington Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
BDT64C | SEMICONDUCTORS | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | etc2 | |
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.TO-220plasticenveloppe.NPNcomplementsareBDT65,BDT65A,BDT65BANDBDT65C. | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-12A •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A •ComplementtoTypeBDT65F/AF/BF/CF APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-12A •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A •ComplementtoTypeBDT65F/AF/BF/CF APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
>10MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDV64C,BDX64C,ECG2344,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-89
- vtest：
120
- htest：
10000100
- atest：
12
- wtest：
125
详细参数
- 型号：
BDT64C
- 制造商：
TT Electronics/ Semelab
- 功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR TO-220
- 功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220
- 制造商：
Distributed By MCM
- 功能描述：
PNP, 120V,12A 125W Swo Transistor TO-220Ab Darlin
- 制造商：
SEMELAB
- 功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, 120V, 12A, TO-220; Transistor
- Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo：
-120V; Power Dissipation
- Pd：
125W; DC Collector
- Current：
-12A; DC Current Gain
- hFE：
750; No. of
- Pins：
3 ;RoHS
- Compliant：
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2410+ |
TO-220 |
15300 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
24+ |
TO-220 |
568 |
询价 | ||||
ST |
23+ |
TO-220 |
9896 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO220 |
7635 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ST |
2020+ |
TO-220 |
6000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
15000 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
PHL/ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
ST |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 |
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