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BD648

Transistor

Comset

BD648F

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件:279.76 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BD648-S

TRANS PNP DARL 80V 8A TO220

Bourns

伯恩斯

BD648-S

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    BD648

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD700,BD900,BDW74B,BDX34B,BDX54B,FC50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

详细参数

  • 型号:

    BD648

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 62.5W PNP Silicon

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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更多BD648供应商 更新时间2025-12-24 16:01:00