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BD243C	文件：219.01 Kbytes Page：1 Pages	High Power Bipolar Transistor Feature: •NPN plastic power transistors •General purpose amplifier and switching applications 文件：219.01 Kbytes 页数：1 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD243C	文件：289.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC=6A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. 文件：289.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD243C	文件：86.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD244 Series ● 65 W at 25°C Case Temperature ● 6 A Continuous Collector Current ● 10 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：86.39 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD243CG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • High Current Gain Bandwidth Product • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：147.12 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243CG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • High Current Gain Bandwidth Product • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：147.12 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243A	文件：128.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：128.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD243B	文件：128.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：128.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD243B	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243B_07	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243B_14	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：103.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
BD243
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD595,BD605,TIP41,3DD67B,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
45
htest：
999900
atest：
6
wtest：
65

技术参数

VCBO (V)：
55
VCEO (V)：
45
PD (W)：
65
PACKAGE：
TO-220
NPN：
BD243
PNP：
BD244
HFE (Min/Max)：
15
IC/VCE (A/V)：
3.0/4.0
VCE(SAT) (V)：
1.5
IC / IB (A/mA)：
6.0/1A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	BD243	FSC	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多BD243供应商更新时间2026-10-17 14:30:00

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