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BD243C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BD243C
厂商型号

BD243C

参数属性

BD243C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 6A TO220-3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封装外壳

TO-220-3

文件大小

289.22 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 16:38:00

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BD243C规格书详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO=100V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC=6A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

产品属性

  • 产品编号:

    BD243C

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1A,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 6A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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