BD13710中文资料1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
BD13710 |
参数属性 | BD13710 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3 |
功能描述 | 1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
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BD13710规格书详情
描述 Description
This series of plastic, 1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• Minimum DC Current Gain - hFE = 63 @ IC = 0.15 A
• BD135, BD137, BD139 are complementary with BD136, BD138, BD140
• These are Pb-Free Devices
应用 Application
• Audio amplification
简介
BD13710属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD13710晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
BD13710STU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
63 @ 150mA,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126-3
- 描述:
TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO126 |
7350 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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三年内 |
1983 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
07+ |
TO-126F |
1638 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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FSC |
25+23+ |
TO-126 |
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24+ |
3360 |
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23+ |
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