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BD13710数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BD13710

参数属性

BD13710 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3

功能描述

1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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BD13710规格书详情

描述 Description

This series of plastic, 1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• Minimum DC Current Gain - hFE = 63 @ IC = 0.15 A
• BD135, BD137, BD139 are complementary with BD136, BD138, BD140
• These are Pb-Free Devices

应用 Application

• Audio amplification

简介

BD13710属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD13710晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BD13710STU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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7891
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