BD13516中文资料1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
BD13516 |
参数属性 | BD13516 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3 |
功能描述 | 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 13:41:00 |
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BD13516规格书详情
描述 Description
This series of plastic, NPN Power Bipolar Junction Transistor transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• Minimum Gain - hFE = 100 @ IC = 150 mA
• Low base drive
• BD135, BD137, BD139 are complementary with BD136, BD138, BD140
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
应用 Application
• Power supplies
• Power supplies
简介
BD13516属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD13516晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD13516
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:1.5
- VCEO Min (V)
:45
- VCBO (V)
:45
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1
- hFE Min
:100
- hFE Max
:250
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:12.5
- Package Type
:TO-126-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-126 |
29048 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
3840 |
原装现货,专业配单专家 |
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ON(安森美) |
2511 |
8484 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-126-3L |
30000 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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48000 |
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ON |
24+ |
TO-126-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
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ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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