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BD13516中文资料1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BD13516

参数属性

BD13516 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3

功能描述

1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor
TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:41:00

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BD13516规格书详情

描述 Description

This series of plastic, NPN Power Bipolar Junction Transistor transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• Minimum Gain - hFE = 100 @ IC = 150 mA
• Low base drive
• BD135, BD137, BD139 are complementary with BD136, BD138, BD140
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

应用 Application

• Power supplies
• Power supplies

简介

BD13516属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD13516晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD13516

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :1.5

  • VCEO Min (V)

    :45

  • VCBO (V)

    :45

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :250

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :12.5

  • Package Type

    :TO-126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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