BD13610中文资料1.5 A, 45 V PNP Bipolar Junction Medium Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

| 厂商型号 |
BD13610 |
| 参数属性 | BD13610 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3 |
| 功能描述 | 1.5 A, 45 V PNP Bipolar Junction Medium Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 11:10:00 |
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BD13610规格书详情
描述 Description
This series of plastic, medium-powerPNP transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• Minimun DC Current Gain - hFE = 63 @ IC = 0.15 A
• Lower base drive current required
• BD136, BD138, BD140 are complementary with BD135, BD137, BD139 respectively
应用 Application
• General use
• General use
简介
BD13610属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的BD13610晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD13610
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:1.5
- VCEO Min (V)
:45
- VCBO (V)
:45
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1
- hFE Min
:63
- hFE Max
:160
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:12.5
- Package Type
:TO-126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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