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BD135-16	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High current • Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：85.87 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD13516S	文件：248.52 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BD135-16；Package：TO-1263L；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：248.52 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD13516S	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD13516STU	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD13516STU	文件：248.52 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BD135-16；Package：TO-1263L；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：248.52 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD135-6	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High current • Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：85.87 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD135-6	文件：390.76 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @IC = 文件：390.76 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BD135-6	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS NPN Silicon Transistors For AF driver and output stages of medium performance 文件：185.89 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD135-6	文件：185.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High current Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：185.8 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD1356STU	文件：248.52 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BD135-6；Package：TO-1263L；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：248.52 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
BD135(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD165,BD175,BD226,BD233,BD437,3DA1B,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
45
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD135
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 45V 1.5A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星宇佳科技有限公司	BD135	STM	22+	SOT-32-3 (TO-126-3)	7750		询价
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