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BD13510STU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:142.43 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BD135-16

Complementary low voltage transistor

文件:157.51 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BD135-16

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:76.42 Kbytes 页数:4 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BD13516S

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:142.43 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BD13516S

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:142.43 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BD13516STU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:142.43 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BD13516STU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:142.43 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BD1356STU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:142.43 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BD1356STU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:142.43 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BD135G

Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors

文件:86.22 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    BD135(-6...-16)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD165,BD175,BD226,BD233,BD437,3DA1B,

  • 最大耗散功率:

    12.5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    12.5

产品属性

  • 产品编号:

    BD135

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 1.5A TO126

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STM
22+
SOT-32-3 (TO-126-3)
7750
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ST
2025+
N/A
70000
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onsemi
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TO-126
21000
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05+
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24+
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24+
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293000
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TO-126
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ST
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QFP-100
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24+
TO-220
10000
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更多BD135供应商 更新时间2026-4-17 17:30:00