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BCR135S	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135S	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135S	文件：43.79 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistorArray(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR135T	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD135	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD135	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD135	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPNpowertransistors DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD135	文件：33.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD135	文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：56.73 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD135	文件：76.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：357.96 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc •ComplementarywithBD136,BD138,BD140	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD135	文件：131.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD135	文件：235.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD135	文件：110.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD135	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD135	文件：69.95 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent.(Max.:1.5A) •LowVoltage(Max.:45V) •DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=0.15A •ComplementarytoBD136.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BD135	文件：1.11352 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD135	文件：235.81 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ◾HighCurrent(1.5A) ◾LowVoltage(80V)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN

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晶体管资料

型号：
BCR135W
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC114YU,RN1307,UN5214,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
.1
wtest：
0

详细参数

型号：
BCR135W
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Transistor Array NPN 10K 47K SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇集芯电子有限公司	BCR135W	Infineon/英飞凌	24+	SOT-323	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
深圳市特莱科技有限公司	BCR135W	INFINEON/英飞凌	21+23+	SOT323	3000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
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更多BCR135W供应商更新时间2024-6-6 9:02:00

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