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BCR135T	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR135W	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR135W	文件：34.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47KΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR135W	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BD135	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD135	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD135	文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD135	文件：33.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPNpowertransistors DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD135	文件：76.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
BCR135T
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon Digital Transistor

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更多BCR135T供应商更新时间2025-7-19 13:00:00

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