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BCR198S	文件：115.15 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor Array PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 47kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：115.15 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR198S	文件：491.4 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 47kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：491.4 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR198S	文件：43.81 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNP Silicon Digital Transistor Array • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package • Built in bias resistor (R1=47kΩ, R2=47kΩ) 文件：43.81 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR198S	文件：872.88 Kbytes Page：11 Pages	丝印：WRs；Package：SOT363；PNP Silicon Digital Transistor 文件：872.88 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR198S	文件：885.86 Kbytes Page：12 Pages	PNP Silicon Digital Transistor 文件：885.86 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR198S	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 数字晶体管 PNP硅数字晶体管 • 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路\n• BCR198S：两个内部隔离、匹配良好的晶体管，采用一个多芯片封装\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 1)\n• 符合 AEC Q101 要求;	Infineon 英飞凌	Infineon

晶体管资料

型号：
BCR198S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

hFEmin：
70
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
250 mW
R1 / R2：
1
R1：
47 kΩ
R2：
47 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
10 V
Vi (off) max：
1.5 100µA / 5V
Vi (on)max：
1.5 V
Vi (on)min：
1 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
PNP (Dual)

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