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BCR183W	文件：489.72 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 10kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：489.72 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR183W	文件：497.17 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 10kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：497.17 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR183W	文件：34.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in resistor (R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ) 文件：34.66 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR183W	文件：240.01 Kbytes Page：14 Pages	PNP Silicon Digital Transistor 文件：240.01 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR183W	文件：897.79 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WMs；Package：SOT323；PNP Silicon Digital Transistor 文件：897.79 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR183W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR183WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR183WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BCR183W
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTA114EU,UN5111,2SA1678,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Polarity ：
PNP (Single)
R1 ：
10.0kΩ
R2 ：
10.0kΩ
hFE min：
30.0
Vi (on) max：
1.5V
Vi (on) min：
1.02mA / 0.3V
Vi (off) max：
1.5100µA / 5V
VCEO max：
50.0V
VCBO max：
50.0V
VEBO max：
10.0V
Ptot max：
250.0mW
ICBO max：
100.0nA
fT ：
200.0MHz
VCE(sat) max：
0.3V
Mounting ：
SMT
R1 / R2 ：
1.0

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