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BD135	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD135	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •Highcurrent •ComplementtoBD136,BD138andBD140	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BD135	文件：252.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD136,BD138,BD140	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD135	文件：795.81 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementtoBD136. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD135	文件：186.38 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD135	文件：369.65 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD135	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：111.81 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD135	文件：360.44 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighCurrent(1.5A) •LowVoltage(80V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD135	文件：1.10211 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
BCR135T
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon Digital Transistor

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