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BCP52M	文件：31.43 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon AF Transistor (For AF driver and output stages High collector current) PNP Silicon AF Transistor • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP 54M...BCP 56M(NPN) 文件：31.43 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP52-Q	文件：247.94 Kbytes Page：12 Pages	60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications 文件：247.94 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52T	文件：273.32 Kbytes Page：14 Pages	丝印：BCP52T；Package：SC-73；60 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：273.32 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52T	文件：274.26 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.26 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52T_SER	文件：273.32 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：273.32 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52TA	文件：116.75 Kbytes Page：7 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > -45V, -60V & -80V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：116.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP52_00	文件：259.55 Kbytes Page：8 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：259.55 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BCP52_13	文件：1.12186 Mbytes Page：22 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors 文件：1.12186 Mbytes 页数：22 Pages	恩XP	恩XP
BCP52_14	文件：134.97 Kbytes Page：6 Pages	PNP General-Purpose Amplifier 文件：134.97 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BCP52_15	文件：1.13334 Mbytes Page：22 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors 文件：1.13334 Mbytes 页数：22 Pages	PHI PHI	PHI

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晶体管资料

型号：
BCP52
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP52
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 60V 1.2A SOT223-4

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更多BCP52供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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