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BCP52	文件：1.74331 Mbytes Page：22 Pages	丝印：BCP52；Package：SC-73；60 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.74331 Mbytes 页数：22 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.98381 Mbytes 页数：22 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52	文件：247.82 Kbytes Page：12 Pages	60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability 文件：247.82 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52	文件：1.81659 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP54...BCP56 (NPN) 文件：1.81659 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BCP52	文件：768.9 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors Features ● For AF driver and output stages ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary to BCP54,BCP55,BCP56 文件：768.9 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BCP52	文件：194.51 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP54...BCP56 (NPN) 文件：194.51 Kbytes 页数：3 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BCP52	文件：396.01 Kbytes Page：2 Pages	High Collector Current Features • High collector current • 1.3 W power dissipation. 文件：396.01 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BCP52	文件：71.81 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER MEDIUM POWER AMPLIFIER ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER OUTPUT STAGE ■ 文件：71.81 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCP52	文件：183.49 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP54...BCP56 (NPN) 文件：183.49 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BCP52	文件：46.03 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switching circuits requiring collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 78. 文件：46.03 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

晶体管资料

型号：
BCP52
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP52
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 60V 1.2A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP52供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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