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BCP52-10	文件：1.12186 Mbytes Page：22 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors 文件：1.12186 Mbytes 页数：22 Pages	恩XP	恩XP
BCP52-16	文件：1.12186 Mbytes Page：22 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors 文件：1.12186 Mbytes 页数：22 Pages	恩XP	恩XP
BCP52-16	文件：498.68 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon AF Transistors 文件：498.68 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP52-16	文件：817.94 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon AF Transistors 文件：817.94 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP52T/-10T/-16T	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52T/-10T/-16T	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52TSLASH-10TSLASH-16T	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52TSLASH-10TSLASH-16T	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP52	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP General Purpose Amplifier 该器件设计用于要求集电极电流达到1.0A的通用中等功率放大器和开关电路。采用工艺78设计。	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP52	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1.2A SOT223-4	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
BCP52
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP52
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 60V 1.2A SOT223-4

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