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BC857M_SER	文件：362.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •GeneralpurposesmallsignalDC •LowandmediumfrequencyACapplications •Mobilecommunications,digital(still)cameras,PDAs,PCMCIAcar	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857M_SERIES	文件：362.92 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857QAS	文件：688.74 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Generaldescription PNP/PNPgeneral-purposetransistorinaleadlessultrasmallDFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:BC847QAS. NPN/PNPcomplement:BC847QAPN. Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857RA	文件：240.05 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857S	文件：57.79 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage •BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857S	文件：159.17 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) PNPSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC857S	文件：73.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857S	文件：51.82 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess68.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC857S	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857S	文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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