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BC857M_SERIES	文件：362.92 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857QAS	文件：688.74 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Generaldescription PNP/PNPgeneral-purposetransistorinaleadlessultrasmallDFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:BC847QAS. NPN/PNPcomplement:BC847QAPN. Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •A	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857RA	文件：240.05 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857S	文件：73.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857S	文件：57.79 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage •BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857S	文件：159.17 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) PNPSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC857S	文件：51.82 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess68.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC857S	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857S	文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857S	文件：851.49 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor Features PowerdissipationPCM:0.3W(Tamp.=25°C) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V Operating&StoragejunctionTemperatureTj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

产品属性

产品编号：
BC857C-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

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更多BC857C-TP供应商更新时间2025-7-12 14:14:00

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