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BC857CWQ	文件：334.95 Kbytes Page：6 Pages	45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT323 Features BVCEO>-45V IC=-100mAHighCollectorCurrent IdeallySuitedforAutomaticInsertion ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847CWQ) ForSwitchingandAFAmplifierApplications TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) Halogen-andAntimony-Free.GreenDev	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857CW-Q	文件：223.53 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CW-Q	文件：229.32 Kbytes Page：13 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistors 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorsinaverysmallSOT323(SC-70),Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC NPNcomplement BC856W-QBC846W-Q BC856AW-QBC846AW-Q BC856BW-QBC846BW-Q BC857W-QBC847W-Q BC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857F	文件：40.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. NPNcomplements:BC846F,BC847FandBC848Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857F	文件：91.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847F	AUK AUK corp	AUK
BC857F	文件：223.09 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
BC857F	文件：284.7 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC857M	文件：83.49 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPgeneralpurposetransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:BC847Mseries. FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •Generalpu	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857M	文件：362.92 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857M_SER	文件：362.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •GeneralpurposesmallsignalDC •LowandmediumfrequencyACapplications •Mobilecommunications,digital(still)cameras,PDAs,PCMCIAcar	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC857C-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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