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厂商型号

BC857S

功能描述

Multi-Chip Transistor

文件大小

851.49 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

SECOS

中文名称

喜可士

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 22:59:00

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BC857S规格书详情

特性 Features

Power dissipation PCM : 0.3 W (Tamp.= 25 °C)

Collector current ICM : -0.2 A

Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V

Operating & Storage junction Temperature Tj, Tstg : -55 °C~ +150 °C

产品属性

  • 型号:

    BC857S

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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