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BC857BW	文件：367.19 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857BW	文件：50.22 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC857BW	文件：124.31 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846W-BC848W) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857BW	文件：449.72 Kbytes Page：5 Pages	BC856AW FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications *OperatingTemp.:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC857BW	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857BW	文件：480.83 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPSiliconTypesAvailable •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BW	文件：407.38 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC857BW	文件：98.64 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC857BW	文件：163.9 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC846W,BC847WandBC848W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC857BW	文件：196.29 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM

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产品属性

产品编号：
BC857B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

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