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BC857BV	文件：109.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryNPNType	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BV	文件：828.8 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC857BV	文件：190.47 Kbytes Page：8 Pages	45V,100mAPNPgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage •ReducesnumberofcomponentsasreplacementoftwoSC-75/SC-89packagedBISS transistors •Reducesrequiredboardspace •Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BV	文件：2.39367 Mbytes Page：15 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BV-TP	文件：109.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryNPNType	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC857BW	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857BW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857BW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC857BW	文件：544.42 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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产品属性

产品编号：
BC857B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

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