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BCM856BS/DG	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM856BS/DG	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSH	文件：236.63 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSH-Q	文件：237.75 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BS-Q	文件：236.58 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistors 1.Generaldescription PNP/PNPmatcheddoubletransistorsinSOT363(SC-88)smallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandard	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSSLASHDG	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BCM856DS	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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产品属性

产品编号：
BC856W-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

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