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BCM856DS/DG	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	Marking：R9；Package：SOT457；PNP/PNP matched double transistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856DS/DG	文件：111.79 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNP matched double transistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCM856DS/DG	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNP matched double transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM856DS-Q	文件：236.8 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistors 1.Generaldescription PNP/PNPmatcheddoubletransistorsinSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandard	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856DSSLASHDG	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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BCM856S	文件：191.75 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArray •Precisionmatchedtransistorpair:∆IC≤10 •Forcurrentmirrorapplications •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistors •Complementarytype:BCM846S •BC856S:Fororientationinreelsee packageinformatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCM856S	文件：92.72 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCM856S	文件：548.18 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多BCM856DS/DG供应商更新时间2025-5-22 10:01:00

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