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BCM856DSSLASHDG中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

BCM856DSSLASHDG

功能描述

PNP/PNP matched double transistors

丝印标识

R9

封装外壳

SOT457

文件大小

647.42 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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BCM856DSSLASHDG规格书详情

特性 Features

* Current gain matching

* Base-emitter voltage matching

* Drop-in replacement for standard double transistors

* AEC-Q101 qualified

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
NA/
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SOT363
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SOT-363
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