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BCM856DSSLASHDG中文资料安世数据手册PDF规格书

BCM856DSSLASHDG
厂商型号

BCM856DSSLASHDG

功能描述

PNP/PNP matched double transistors

丝印标识

R9

封装外壳

SOT457

文件大小

647.42 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-1 13:36:00

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BCM856DSSLASHDG规格书详情

Features

* Current gain matching

* Base-emitter voltage matching

* Drop-in replacement for standard double transistors

* AEC-Q101 qualified

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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