BCM856BSH中文资料安世数据手册PDF规格书
BCM856BSH规格书详情
Features and benefits
• Low collector capacitance
• Low collector-emitter saturation voltage
• Current gain matching
• Base-emitter voltage matching
• Drop-in replacement for standard double transistors
• No mutual interference between the transistors
• High-temperature applications up to 175 °C
产品属性
- 型号：
BCM856BSH
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
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