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BCM856S	文件：191.75 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistor Array PNP Silicon AF Transistor Array • Precision matched transistor pair: ∆IC ≤ 10 • For current mirror applications • Low collector-emitter saturation voltage • Two (galvanic) internal isolated Transistors • Complementary type: BCM846S • BC856S: For orientation in reel see package informatio 文件：191.75 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCM856S	文件：92.72 Kbytes Page：9 Pages	PNP Silicon AF Transistor Array 文件：92.72 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCM856S	文件：548.18 Kbytes Page：9 Pages	丝印：3Ms；Package：SOT363；PNP Silicon AF Transistor Array 文件：548.18 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCM856S_07	文件：92.72 Kbytes Page：9 Pages	PNP Silicon AF Transistor Array 文件：92.72 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCM856S_11	文件：548.18 Kbytes Page：9 Pages	PNP Silicon AF Transistor Array 文件：548.18 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCM856S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Precision Matched Transistor NPN Silicon AF Transistor Array · Precision matched transistor pair: ∆IC≤10%\n · For current mirror applications\n · Low collector-emitter saturation voltage\n · Two (galvanic) internal isolated Transistors\n · Complementary type: BCM846S\n · BCM846S: For orientation in reel see package information below\n · Pb-free (RoH;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Polarity ：
PNP (Dual)
VCEO max：
65.0V
Ptot max：
250.0mW
hFE min max：
200.0 450.0
IC max：
2.0mA
IC ：
100.0mA
VCE max：
5.0V
VCE ：
5.0V
VCBO max：
80.0V
VEBO max：
5.0V
ICM max：
200.0mA
ICBO max：
15.0nA
fT ：
250.0MHz

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更多BCM856S供应商更新时间2026-4-17 23:00:00

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