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BC847BVC	文件：182.56 Kbytes Page：3 Pages	NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVC	文件：110.8 Kbytes Page：4 Pages	NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVC	文件：233.54 Kbytes Page：6 Pages	NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVN	文件：63.33 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPN/PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorson samePCBarea •ReducedrequiredPC	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BVN	文件：228.54 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinOnePackage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BVN	文件：143.51 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BVN	文件：200.96 Kbytes Page：9 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneralpurposetransistor Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage •ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea •ReducedrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BVNQ	文件：396.22 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinOnePackage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •TheBC847BVNQaresuitableforautomotiveap	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BV-TP	文件：165.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) •Ultra-smallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BW	文件：50.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BC847BS-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 45V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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