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BC847BT	文件：84.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857AT,BT,CT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：220.93 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847BT	文件：1.29417 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847BT	文件：237.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：131.51 Kbytes Page：18 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BT	文件：146.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847BT	文件：169.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847BTQ	文件：493.46 Kbytes Page：6 Pages	45VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT523 Features BVCEO>45V IC=100mACollectorCurrent EpitaxialPlanarDieConstruction Ultra-SmallSurfaceMountPackage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BT-TP	文件：84.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857AT,BT,CT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
BC847BS-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 45V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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