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BC847BV	文件：83.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNDUALSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BV	文件：115.93 Kbytes Page：15 Pages	NPN/NPNmatcheddoubletransistors Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BV	文件：165.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) •Ultra-smallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BV	文件：645.09 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) *Ultra-SmallSurfaceMountPackage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847BV	文件：271.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BV	文件：599.35 Kbytes Page：2 Pages	DUALTRANSISTOR(NPN) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC847BV	文件：3.14306 Mbytes Page：3 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNNPN) DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC847BV	文件：184.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ◇Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HFEpitaxialDieConstruction ◇ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ◇Ultra-smallSurfaceMountPackage ◇LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates ◇RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ◇EpoxymeetsUL	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC847BV	文件：300.32 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BV	文件：191.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollectorcapacitance •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •ReducesnumberofcomponentsasreplacementoftwoSC-75	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BC847BS-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 45V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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