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BC847BV中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

BC847BV

功能描述

NPN general purpose double transistor

丝印标识

1F

封装外壳

SOT666

文件大小

191.43 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-22 23:00:00

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BC847BV规格书详情

Features and benefits

• 300 mW total power dissipation

• Very small 1.6 mm x 1.2 mm x 0.55 mm ultra thin package

• Excellent coplanarity due to straight leads

• Low collector capacitance

• Improved thermal behaviour due to flat leads

• Reduces number of components as replacement of two SC-75/SC-89 packaged BISS

transistors

• Reduces required board space

• Reduces pick and place costs

产品属性

  • 型号:

    BC847BV

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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