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BC847BS-AU	文件：239.8 Kbytes Page：7 Pages	NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISTOR VOLTAGE45VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BSH	文件：235.66 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSH-Q	文件：236.83 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSQ	文件：350.46 Kbytes Page：5 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForswitchingandAFAmplifierApplication •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •TheBC847BSQissuitableforautomoti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BS-Q	文件：241.81 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotive	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BS-TP	文件：229.38 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847BT	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BT	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment •Electronicdataproce	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BT	文件：84.05 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon p/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

产品属性

产品编号：
BC847B-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC847x-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

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