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BC847BS-Q	文件：241.81 Kbytes Page：11 Pages	Marking：1F；Package：TSSOP6；45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotive	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BS-TP	文件：229.38 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor300mW Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847BT	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BT	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment •Electronicdataproce	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BT	文件：84.05 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon p/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847BT	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BT	文件：353.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BT	文件：195.95 Kbytes Page：3 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●ForswitchingandAFamplifierapplication. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847BT	文件：169.01 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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