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BC847BT	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847BT	文件：353.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847BT	文件：195.95 Kbytes Page：3 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●ForswitchingandAFamplifierapplication. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847BT	文件：169.01 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847BT	文件：358.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC847BT	文件：84.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857AT,BT,CT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：220.93 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847BT	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847BT	文件：1.29417 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847BT	文件：237.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
BC847B-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC847x-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

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更多BC847B-QR供应商更新时间2025-7-18 10:28:00

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