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BCP56-10H	文件：1.25919 Mbytes Page：16 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10H	文件：1.27175 Mbytes Page：16 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10-Q	文件：249.1 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10T	文件：274 Kbytes Page：14 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10T	文件：287.1 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10T	文件：275.24 Kbytes Page：14 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP56-10T-Q	文件：287.63 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-10	文件：720.99 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BCX56-10	文件：1.74382 Mbytes Page：22 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-10	文件：6.13709 Mbytes Page：5 Pages	NPNTRANSISTOR VOLTAGE45~80.0VoltsCURRENT1.0Ampers FEATURES ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG

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技术参数

Package name：
DFN2020-3
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
420
VCEO [max] (V)：
80
IC [max] (mA)：
1000
hFE [min]：
63
hFE [max]：
160
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

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