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BC556BTA	文件：336.46 Kbytes Page：10 Pages	丝印：BC556B；Package：TO-923L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC556, VCEO = -65 V • Low-Noise: BC559, BC560 • Complement to BC546, BC547, BC548, BC549, and BC550 文件：336.46 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BC556B	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC556 -80 V BC557 -50 V BC558 -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：68.56 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BC556B	文件：220.19 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：220.19 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BC556B	文件：158.9 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors(PNP Silicon) Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：158.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC556B	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complements: BC546, BC547 and BC548. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：47.79 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI

详细参数

型号：
BC556B
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -65V 100mA HFE/450
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC556B供应商更新时间2025-11-24 10:04:00

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