BC556B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BC556B |
| 参数属性 | BC556B 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A TO92 |
| 功能描述 | Amplifier Transistors(PNP Silicon) |
| 封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 长体 |
| 文件大小 |
158.9 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-31 20:00:00 |
| 人工找货 | BC556B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BC556B规格书详情
BC556B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的BC556B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Amplifier Transistors
PNP Silicon
特性 Features
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号:
BC556B
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
280MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS PNP 65V 0.1A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
2026+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
TO-92(TO-226) |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
PH |
2019 |
原厂原装 |
82 |
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