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BC556B	文件：158.9 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors(PNP Silicon) Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：158.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC556B	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：107.37 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC556B	文件：86.89 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors Features • Pb−Free Packages are Available 文件：86.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC556B	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complements: BC546, BC547 and BC548. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：47.79 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC556B	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS APPLICATION PNP General Purpose Transistors, Especially Suited For Use in Driver Stages of Audio Amplifier, Low Noise Input Stages of Tape Recorders, HI-FI Amplifiers, Signal Processing Circuits of Television Receivers. 文件：58.97 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
BC556B	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors 文件：358.64 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC556B	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose PNP Transistors • Power dissipation 500 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：144.86 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC556B	文件：690.11 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • 150°C Junction Temperature • Through Hole Package • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking:Type Number • Halogen free available upon request 文件：690.11 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
BC556B	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor 文件：2.17097 Mbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
BC556B	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC556 -80 V BC557 -50 V BC558 -30 V Operating and storage junction temp 文件：313.16 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

产品属性

产品编号：
BC556B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
280MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO92

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更多BC556B供应商更新时间2026-3-18 10:18:00

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