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BC556B	文件：220.19 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BC556B	文件：158.9 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors(PNP Silicon) AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556B	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplements:BC546,BC547andBC548. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC556B	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS PNPSiliconTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC556B	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS APPLICATION PNPGeneralPurposeTransistors,EspeciallySuitedForUseinDriverStagesofAudioAmplifier,LowNoiseInputStagesofTapeRecorders,HI-FIAmplifiers,SignalProcessingCircuitsofTelevisionReceivers.	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BC556B	文件：690.11 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •150°CJunctionTemperature •ThroughHolePackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:TypeNumber •Halogenfreeavailableuponrequest	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC556B	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC556B	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556B	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Transistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC556B	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC556B	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL	CDIL
BC556B	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageVCBO:BC556-80VBC557-50VBC558-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC556B	文件：385.57 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC556B	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose PNP Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC556B	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC556B	文件：294.96 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC556B	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556BRL1	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556BTA	文件：49.19 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Amplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
BC556B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
280MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO92

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更多BC556B供应商更新时间2024-4-30 10:18:00

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