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BC556B	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS PNP Silicon Transistors 文件：213.33 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC556B	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC556 -80 V BC557 -50 V BC558 -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：68.56 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BC556B	文件：117.45 Kbytes Page：7 Pages	PNP AUDIO 100MA 65V 500MW TO92 Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：117.45 Kbytes 页数：7 Pages	SYC	SYC
BC556B	文件：220.19 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：220.19 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC556B	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors 文件：92 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
BC556B	文件：294.96 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW 文件：294.96 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BC556B	文件：385.57 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW 文件：385.57 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BC556B	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose PNP Transistors 文件：148.14 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC556B	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：77.87 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC556BTA	文件：336.46 Kbytes Page：10 Pages	丝印：BC556B；Package：TO-923L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC556, VCEO = -65 V • Low-Noise: BC559, BC560 • Complement to BC546, BC547, BC548, BC549, and BC550 文件：336.46 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BC556B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
280MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO92

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更多BC556B供应商更新时间2026-3-18 10:18:00

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