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EDS-619	文件：865.98 Kbytes Page：7 Pages	163G-portcompactmodularmanagedEthernetswitches	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
EDS-619-T	文件：865.98 Kbytes Page：7 Pages	163G-portcompactmodularmanagedEthernetswitches	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
FCX619	文件：52.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●6Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto6amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.13mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance. RCE(sat)87mΩat2.75A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX619	文件：859.93 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 6APEAKPULSECURRENT EXCELLENThFECHARACTERISTICSUPTO6Amps EXTREMELYLOWSATURATIONVOLTAGEe.g.13mVtyp. EXTREMELYLOWEQUIVALENTON-RESISTANCE; RCE(sat)87mΩat2.75A COMPLIMENTARYTYPE-FCX720 PARTMARKINGDETAIL-619	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX619	文件：1.65281 Mbytes Page：3 Pages	SOT89NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX619	文件：581.66 Kbytes Page：3 Pages	SOT89NPNSILICONPOWER Features •BVCEO>50V •IC=3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FCX619TA	文件：251.86 Kbytes Page：6 Pages	50VNPNLOWSATURATIONPOWERTRANSISTORINSOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT619	文件：307.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT23NPNSILICONPOWER Features •BVCEO>15V •IC=3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakPulseCurrent •RCE(sat)=50mΩforalowequivalentOn-Resistance •625mWPowerdissipation •hFEspecifiedupto12Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT717 •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT619	文件：308.81 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT3A 12APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsUpTo12A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.8mVTyp. ExtremelyLowEquivalentOnResistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT619	文件：1.06024 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=2A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=50V ●ComplementarytoFMMT720	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
BB619
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon Variable Capacitance Diode(For tuning of extended frequency bands in VHF TV/VTR tuners)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	BB619	Infineon/英飞凌	2019+	SOD123	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	BB619	INFINEON/英飞凌	24+	SOD123	159676	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	BB619	INFINEON	24+	SOD-3230805	366000	新进库存/原装	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	BB619	INFINEO	2020+	SOD-123	43	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市弘为电子有限公司	BB619	SIEMENS	24+	原厂封装	72000	原装现货假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	BB619	INFINEON	24+	SOD123	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BB619	SOD-123	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	BB619	SM	25+23+	Sod-123	30144	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	BB619	INFINEON	17PB	SOD123	10000	现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BB619	INFINEON/英飞凌	23+	SOD123	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多BB619供应商更新时间2025-7-29 10:20:00

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